シリコン中の電子輸送において、ドナー密度依存性および高電界下のシミュレーションができる多粒子モンテカルロ法によるシミュレータを研究開発した。ここでは計算の簡略化と迅速性の観点から解析バンドモデルをもちいた。これまで<100>方向の電界印加について研究したが、今回<111>、<110>方向の電界印加に対するシミュレーションを行った。シミュレーションにより得られた電子ドリフト速度－時間特性の定常状態から、温度77、160、245、300、370、430Kにおける電子ドリフト速度と電界の関係を求めた。この結果、ドリフト速度の電界方向に対する異方性が見られた。その要因について報告する。