高換算電界下における電子ドリフト速度の決定法として平行平板RF絶縁破壊特性（破壊時の電圧と圧力の関係性）を利用する方法（破壊特性法）がLisovskiy等によって提案されている。この方法は、RF破壊特性に現れる折り返し点において、電子の集団的ドリフト運動の振幅が電極間距離の半分になることを利用したものであるが、その表式には、電子の電極表面における反射などの情報は現れない。一方、我々は、以前からRF絶縁破壊のモンテカルロシミュレーション（MCS）を行ってきた。そこで、今回、電極での反射率を変えつつMCSを行い、破壊特性法を用いて得られる電子ドリフト速度への反射率の影響を調べたので報告する。