静電気放電（ESD）に対する電子機器の誤動作の問題や、そのプリント配線のファインパターン化の促進から、著者らはESDサージに対する破壊特性の検討を行っている。一方、フラッシオーバ（FO）試験では破壊電圧（FOV）のばらつきが認められる。これは、初期電子発生確率や放電進展のばらつきによることが考えられる。プリント配線板上パターン導体間のESDフラッシオーバの特性理解などの観点から、FOVのばらつきを抑制し、試験の再現性を向上させることは重要である。本論文では、キセノンランプ照射による初期電子発生確率が破壊特性に及ぼす影響を調べることを目的とし、プリント配線板上パターン導体間におけるFOVとそのばらつきを、キセノンランプ照射有無で比較検討した。