各種電気電子機器基板には封止材や固定材としてシリコンゲルが使用され、小型化や高密度化に伴い、その高電圧化が期待されている。特にゲルを用いた絶縁においては基板上の沿面放電が課題の一つであるものの、バルクとしての自己修復特性が報告されている程度であり、沿面での現象は不明な点が多い。ゲルと基板界面の沿面放電現象を解明することを目的に、ゲルちゅの沿面放電進展に伴う電位分布を高い空間分解能で把握できる測定装置の開発に着手した。結果として100μmの分解能があることが確認できたが、光学系の回折の影響で分解能が理論値に対して落ちているので、今後補正する。