これまで筆者らは、パルス変調誘導熱プラズマ(PMITP)を用いてTi表面の窒化処理をおこなってきた。一般的な窒化処理は30分から数十時間を要するのに対し、PMITPを用いると、3分間のプラズマ照射でTi試料表面にTiN層を生成することを確認している。また、無変調の熱プラズマを用いる場合と比べ、温度をなるべく低下させた状態で表面処理ができる。同時に励起窒素原子数を増加でき、そのことを放射スペクトル観測から見出している。今回、我々は窒化処理の促進を目的として、試料にバイアス電圧を印加した。本報告では印加バイアス電圧を3条件に変更し、窒化促進効果の有無について報告する。