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変調誘導熱プラズマを用いた窒化処理における印加バイアス電圧依存性の検討
◎春多洋佑・藤本健太・田中康規・上杉喜彦・石島達夫(金沢大学)
これまで筆者らは、パルス変調誘導熱プラズマ(PMITP)を用いてTi表面の窒化処理をおこなってきた。一般的な窒化処理は30分から数十時間を要するのに対し、PMITPを用いると、3分間のプラズマ照射でTi試料表面にTiN層を生成することを確認している。また、無変調の熱プラズマを用いる場合と比べ、温度をなるべく低下させた状態で表面処理ができる。同時に励起窒素原子数を増加でき、そのことを放射スペクトル観測から見出している。今回、我々は窒化処理の促進を目的として、試料にバイアス電圧を印加した。本報告では印加バイアス電圧を3条件に変更し、窒化促進効果の有無について報告する。