Ⅳ族原子である炭素からなる物質の一つとしてDLC(Diamond Like Carbon)がある。これはダイヤモンド構造とグラファイト構造から成るアモルファス構造を有している。DLC自体は絶縁物であるが、生成条件によりバンドギャップエネルギーを制御する事が出来る。このためDLCを半導体デバイスとして応用することに期待が持てる。このDLCに不純物としてⅢ属元素であるGaを集束イオンビーム装置により注入する事で導電性を付加することに過去の我々の研究で成功している。今回の報告ではGaドープDLCと金属電極の接触における金属材料の差異によりオーム接触又はショットキー接触を形成することから、DLCのデバイス化において、用途に応じた最適な電極の選定を行うための基礎特性を測定した。