電気学会全国大会講演要旨
2-097
Mo薄膜/Si基板を用いた四角い断面を持つMoO2ナノチューブの形成
○阿部俊三・菊地由純・小山勝広・柿澤智史・佐藤悠介(東北工業大学)・半田浩之(Panasonic)・末光眞希(東北大学)
われわれは、独自に考案した、不活性ガスカーテン燃焼炎法による、ダイヤモンド成長実験を行ってきた。その実験の中で幸運にも、世界で初めて四角い断面を持つ二酸化モリブデンナノチューブを発見し報告してきた。 今回、Mo/Si基板を用いてナノチューブの形成を試みた結果、高均一・高密度で二酸化モリブデンナノチューブを形成することができた。本報告では、その成長方法と特性評価について述べる。