本研究では，磁性薄膜をICチップ上に集積化し，伝導・誘導ノイズ対策を行う磁性薄膜電磁ノイズ抑制体に関して，誘導ノイズ抑制効果のメカニズム解明を目的として研究を行った．ICチップ内に試作したコプレーナ上に磁性薄膜を集積化した場合のシールド効果を，磁性膜内で生じる反磁界を考慮した等価磁気回路網を用いて導出した．その結果，本磁気回路網を用いてシールド効果の定量的な導出が可能となった．さらに，実験で得られていたシールド効果が強磁性共鳴損失の極大周波数付近で負となる原因は，特定の周波数において磁性薄膜の負性抵抗により磁気回路が共振するためであることが明らかとなった．