薄膜軟磁性体で形成された矩形状の素子に、短軸方向を基準として膜面内で傾斜した方向に磁化容易軸を形成し、この方向を制御することで磁場に対して不連続的にインピーダンスが変化する素子が構築できる。この現象は、ストライプ状磁区構造と長手方向に磁気モーメントが揃った磁区構造との転移に伴い発生する。この現象は、転移発生点の定磁場性、ヒステリシス制御による記憶機能の発現など、アプリケーションに有用な特性を有することが報告されている。本発表では、この磁区転移現象の環境劣化について基礎的な知見を得ることを目的に、温度暴露、強磁場印加、経年劣化について検討を行った結果を報告する。