3-117
65nm標準プロセスを用いた高消光比偏光分析CMOSイメージセンサ
◎若間範充・松岡 均・安藤圭祐・野田俊彦・笹川清隆・徳田 崇・太田 淳(奈良先端科学技術大学院大学)
偏光分析による光学活性体の計測は,非侵襲かつリアルタイム計測可能である.これまでに偏光分析CMOSイメージセンサを開発し,マイクロフローセルに統合可能な計測システムを実現した.本研究では,高感度偏光検出を目指し, 65-nm標準CMOSプロセスを用いた多様な角度の偏光子を搭載した偏光分析イメージセンサの設計と試作を行った.試作したセンサの消光比はグレーティングピッチが狭いほど高い消光比が得られ,メタルグリッド偏光子の特徴と一致する.本稿では設計,試作したイメージセンサの評価結果について報告する.