近年、X線位相イメージング手法が注目されており、この手法の1つであるタルボ干渉計には回折格子が必要である。この回折格子には線幅数μm高さ数十μmの高精度な微細高アスペクト比Au構造体が求められる。Siドライエッチング技術はSiを微細加工する事が可能であり、最小線幅100nmにおいても加工深さが数mmとなるSi構造体を作製できる。Siに低抵抗Siを用いて直接電解めっきを行い、作製したSi構造体の底部のみからAuが形成すれば回折格子に必要なAu構造体を作製できると考えられる。そこで、本研究ではSiドライエッチング技術を用いた回折格子作製プロセスを考案しピッチ5.3μm吸収体高さ40μmの回折格子の作製を行った。