並列電子線描画装置に用いる目的で、pn接合構造をもつSiの突起にカーボンナノチューブ(CNT)を成長させたSpindt型の電子源アレイを作製し、その動作を確認した。この電子源は、レーザーの照射により電子線のスイッチングを行うことができる。電子源アレイは、pn接合を組み込んだSiの突起をSiの薄膜構造上に作り、その上にCNTを成長させてエミッタとした。また、Wのゲート電極が作り込まれている。エミッタとゲート電極間に印加した電圧によりpn接合を逆バイアス状態にし、電子源アレイの背面にレーザー（波長660nm）を照射した。その結果、電子源から放出された電流がレーザーのON/OFFに同期していることを確認した。