マルチコア光ファイバを用いた伝送システムでは，既存の光デバイスは端面出射型素子のため空間的に光素子とファイバを接続することが難しい．そこで，上方へ出射する斜め端面光導波路を作製するためのInP斜めドライエッチング技術を開発したので報告する．傾斜角45°のアルミ冶具斜面にサンプルを固定し，対向側にもアルミ冶具を固定する．これは冶具間を静電遮蔽し，サンプルに届く反応性ラジカルの垂直成分のみを取出すためである． InP基板にSiO2をスパッタし, フォトレジストでラインアンドスペースをパターニングする．次にSiO2とInPのドライエッチングをおこない，斜めにエッチングできていることが確認できた．