半導体ガスセンサをモデル化した過渡応答モデルを用いて，半導体ガスセンサの過渡応答に影響を与える要因を調べている。 これまでセンサ内のキャリアの移動度を一定値として扱ってきたが，モデルをより現実に近づけるため，移動度の温度依存性を考慮して新たなモデルを構築した。 その結果現実のセンサの応答との偏差平方和を従来の10%以下に減少させることができた。