電力変換回路の直流側配線構造に起因する寄生インダクタンスは過電圧の要因となり，特に高速スイッチング下では素子破壊を防ぐために低インダクタンス化が求められている。しかし寄生インダクタンスを考慮した定量的な配線構造設計法はこれまで提案されていないように思われる。 本論文ではMOSFETの等価回路を用いた回路解析を行うことによって，寄生インダクタンスと過電圧およびMOSFETのターンオフ時のスイッチング速度の関係性について定量的に示す。その上で過電圧をMOSFETの電圧定格内に抑制する寄生インダクタンス設計を行う。またインダクタンスマップを用いて設計値を満たすような配線構造設計を行う。