近年，高速スイッチング素子の開発が進み，スイッチング時のサージ電圧の抑制が必要であり，素子の接続導体として使用されるバスバーのインダクタンスの低減が重要の課題となっている。 本論文では，10kW，V結線インバータ向け直流バスバーの高周波域における電流分布とインダクタンス値を検討した。今回のバスバー解析結果から，検討した形状では，相互インダクタンスの作用により，92nHまでLを低減することができた。今後は，さらなるLの低減を目指したバスバーの設計に取り組みたい。