近年,新しい半導体の高速化に伴ってスイッチング周波数の高速化が進んできている。しかしながら高速動作は,インバータからEMIのノイズを発生させる大きな問題となっている。EMIノイズ発生のひとつの原因として主回路の配線の浮遊インダクタンスによる誘導電圧があげられる。本研究ではTO-247やTO-3Pを使ったディスクリートパワーデバイスインバータのインダクタンス解析を行った。今回はFEMを使用して,EMIノイズ特性に大きく影響する逆回復電流ループの電流分布の解析やインダクタンスの計算を行った。 その結果逆回復ループのインダクタンスは25nHとなり電流分布は曲部に集中することが明らかとなった。