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負荷短絡補助回路を用いたMOSFETインバータのスイッチング損低減法
◎水野知博・野口季彦(静岡大学)
MOSFETインバータのスイッチング損を低減するためには,ターンオン時間およびターンオフ時間を短縮することが求められる。ターンオン時間はゲート入力容量を高速に充電することにより短縮することが可能であるが,ターンオフ時間はドレイン-ソース容量を充電する時間によって決定されるためドライブ回路側での制御が困難になる。そこで本稿では,ハーフブリッジインバータを例に挙げ,簡単な補助回路を用いることによりターンオフ時間を短縮し,スイッチング損を低減する手法について実機検証により運転特性を検証した。その結果,軽負荷時に最大8ポイントの高効率化を達成できることを確認した。