現在，パワーデバイスとして広く用いられている Si (Sillicon) 系のデバイスは材料物性上これ以上の性能向上は困難になりつつある。そこで，近年，Si 系デバイスの性能を上回ることが可能とされているワイドバンドギャップ半導体を用いたパワーデバイスが注目されている。本論文では，新開発 GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor) を用いて昇圧チョッパ回路を構成し，高速スイッチングが可能であることを確認したので報告する。