低損失かつ高速動作可能なパワー半導体として，ワイドバンドギャップ半導体であるガリウムナイトライド(GaN) が注目されている(1)。本論文では，試作したGaN 横型トランジスタとGaN SBD(Schottky Barrier Diode) を用いて，インバータの作成および動作確認を行ったので報告する。