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高耐圧SiCモジュールの単パルス電流遮断性能評価
○田中篤嗣・中山浩二・泉 徹・三柳洋一・浅野勝則(関西電力)
高効率・大容量インバータへの適用が期待されるSiCモジュールの単パルス電流遮断性能を評価した。ゲート部の低抵抗化、高耐圧化を図った10 mm角のSiCGT(SiC Commutated Gate turn-off Thyristor)素子で、ターンオフ時のオフゲート電圧を高く設定して転流時間を短縮するとともに、電子線照射により電流遮断速度の向上を図り、スイッチング損失を低減し、100 ℃から250 ℃の広い温度範囲において500 Aの単パルス電流遮断を実現した。