高効率・大容量インバータへの適用が期待されるSiCモジュールの単パルス電流遮断性能を評価した。ゲート部の低抵抗化、高耐圧化を図った10 mm角のSiCGT（SiC Commutated Gate turn-off Thyristor）素子で、ターンオフ時のオフゲート電圧を高く設定して転流時間を短縮するとともに、電子線照射により電流遮断速度の向上を図り、スイッチング損失を低減し、100 ℃から250 ℃の広い温度範囲において500 Aの単パルス電流遮断を実現した。