直流き電用変電所の直流高速度気中遮断器(以下HSCB)が遮断を失敗したときの保護として、アーク検知器(28)が使用されている。このアーク検知には従来、セレン光電池が用いられていたが生産中止となり、現在では紫外線領域に感度を持つ光電管を適用したタイプが導入されつつある。一方、近年の半導体素子で一般的に用いられているガリウム砒素（GaP）と、近年特に精力的に素子開発が行われるシリコンカーバイド（SiC）の、二つの半導体材料のバンドギャップが紫外線領域に対応することから、この特性に着目しアーク検知器のセンサとしての適用可能性を検証したので報告する。