電気学会全国大会講演要旨
5-110
YBCO薄膜におけるS/N転移伸展過程と発生抵抗の関係
◎服部圭佑・馬場旬平(東京大学)・西原太一・仁田旦三・渋谷正豊(明星大学)・熊谷俊弥(産業技術総合研究所)
YBCO薄膜を用いた抵抗型限流器は、超電導線材を用いた限流器に比べ小型化できると考えられており、特に小型化の要望が強い配電系統への導入が期待されている。しかし、過電流通電時のYBCO薄膜における超電導状態から常電導状態への転移(S/N転移)による抵抗発生の過程は解明されていない点も多い。本研究ではS/N転移の伸展過程を詳細に観測または推定するため、1Hzの低周波過電流通電時におけるYBCO薄膜の特性を測定し、S/N転移伸展の範囲と抵抗発生の関係性を明らかにした。