シリコン中の電子輸送において、ドナー密度依存性および高電界下のシミュレーションができる多粒子モンテカルロ法によるシミュレータを研究開発した。ここでは計算の簡略化と迅速性の観点から解析バンドモデルをもちいた。シミュレーションの結果、電子ドリフト速度に異方性が見られたのでさらに解析を行った。電界の大きさは、77Kで異方性の大きい2kV/cmと異方性の小さい0.2、20kV/cmをもちいた。電界の方向は、方位角を45°に固定して、極角を0°から90°まで変化させて、順次 <001>、<111>、<110>を経るように設定してシミュレーションを行い解析した。