パワーモジュールの絶縁封止にはシリコーンゲルが用いられる。先行研究により本絶縁系の弱点は金属電極-基板-ゲルからなる三重点を起点とし、ゲル-基板界面に沿って進展する沿面放電であることが知られている。しかしながら、その進展過程はいまだに不明な点が多い。そこで、絶縁基板上を進展する沿面放電の部分放電パルスと部分放電により生成されるキャビティーの挙動を比較することで、沿面放電現象を評価した。結果、沿面ストリーマはキャビティーのトリー状の部位の中を進展し、そのストリーマヘッドによってキャビティー先端のボイドが帯電すること、正極性のストリーマによる帯電の影響が負極性のそれとくらべて大きいことが示唆された。