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NEAダイヤモンド表面を利用したダイオード電子源による超高耐圧真空スイッチ
○竹内大輔（産業技術総合研究所）・小泉 聡（物質・材料研究機構）・牧野俊晴・加藤宙光・小倉政彦・大橋弘通・大串秀世・山崎 聡（産業技術総合研究所）
水素終端ダイヤモンドの負の電子親和力（Negative Electron Affinity: NEA）を生かした電子源と真空を組み合わせた新しい真空スイッチの研究開発を進めている。半導体素子では実現困難な程度の超高耐圧高効率小型パワースイッチを実現できる可能性がある。動作原理とともに10kVのスイッチ動作の原理実証に成功したことを報告する。