面発光型半導体レーザ(以下、VCSEL) の自己結合効果を用いた距離測定では、VCSELに内蔵されたフォトダイオードを用いて自己結合信号を検出してきた。自己結合信号の検出方法には、他にもVCSELの端子間電圧変化分の周波数を測定する方法がある。この方法であれば、半導体基板上で2次元アレイ状に、密なセンサの配置をすることが可能である。本研究では、自己結合効果によるVCSELの端子間電圧変化を用いた距離測定を行い、その精度を確認した。