今回は,窒素添加による気相および壁表面での反応の更なる究明として,壁に炭素膜を堆積させた状態でAr/N2プラズマ放電する。この条件下で壁表面に対する窒素添加による反応を調べた。気相中では窒素が炭化水素および水素と結合し,C≡N結合を有する揮発性分子のHCN,CNやNH系が生成されたと考えられる。これより炭素膜を生成する前にCNやHCNとして生成することで炭素膜堆積を抑制し,また,水素と結合しNH系となることで膜中に含まれる前に排気されることで水素同位体吸蔵を抑制していると考えられる。一方,壁表面でも同様な化学反応が起きており, 揮発性のCNやHCNとして炭素膜から脱離することで炭素膜が除去されると考えられる。