本研究では、不均一ブロードサイド電磁結合における特性を利用した技術的用途の一つとして、アモルファス金属を敷設することによって特性の改善を図った。直線及び円弧型マイクロストリップ線路上にアモルファス金属薄帯(2826MB)を1枚から10枚までの8通り敷設し、枚数および形状による比較を行った。実験の結果、アモルファス金属を2枚敷設することによって5[dB]の改善が見られ、それ以降は1[dB]の改善に留まった。また、750〜3500[MHz]の広帯域において-35[dB]程度のハイパス特性を有することがわかった。