鉄系超伝導体は、低消費エネルギー、高磁界発生等の特性を持つ。しかし、超伝導体を得るためには、高純度な原材料が必要となり、原子一層レベルで成膜を行うといった高度な技術を要する。加えて、純度の高い材料は容易に酸化するため取り扱いが困難である。この問題を解決するため我々は、off-axis電界アシストパルスレーザー堆積法に注目した。この方法で成膜することでドロップレットの減少が期待できる。また、電界印加によってアブレーションプルーム内でOイオンとBaイオンを分離し、基板上にBa単体の成膜が期待できる。この研究で、我々はoff-axis電界アシストパルスレーザー堆積法(EFA-PLD)よってBaOからの酸素除去を試みた。