太陽電池は、エネルギー資源枯渇問題の対策として注目されているが、一般に普及しているSi太陽電池の変換効率は限界に来ている。一方、炭素材料は良好な効率の太陽電池の開発途上にあり、過去の研究では、パルスレーザ堆積法(PLD)によってPドープによるn-type Diamond Like Carbon(n-DLC)とp-Siとでヘテロ接合を形成させ、太陽電池を製作した。より効率を上げるために、我々は、タンデム型太陽電池としてp-Siとn-DLC層との間にSiC層を作製することを試みた。本稿では、電界支援PLD法によるn-DLC/i-SiC/p-Si層の成長技術について報告する。