近年、光吸収が強く薄膜でよいため太陽電池作製に適しているカルコパイライト系I-III-VI₂族化合物半導体が注目されている。我々は従来、AgGaTe₂とCuGaTe₂に着目して近接昇華法を用いて結晶成長を行ってきた。AgGaTe₂のバンドギャップは太陽電池に適した値より少し小さいため、バンドギャップを制御して最適な値とするようAgGaTe₂と他のI-III-VI₂族化合物半導体とで混晶を作製することとした。そこでバンドギャップが大きく他のIII族元素と比べ安価で無毒なAlを含むAgAlTe₂に着目した。AgGaTe₂はサファイアa面基板上に作製されると(103)面と(110)面に配向することがわかっている。AgGaTe₂とAgAlTe₂とは同一の結晶構造を持ち、互いの格子定数も比較的近い値を持つため、ほぼ等しい配向性を表すことが予想される。したがってAgGaTe₂との配向性の相違について検討した。