磁性体に高周波を通電し外部磁界印加時の急峻なインピーダンス変化を利用した磁気センサは高周波キャリア型あるいはMIセンサと称され、高感度な特徴を有する。このセンサを小型化する上では薄膜利用が有利であるが課題となるのが反磁界の影響による感度の低下であり、特に端部は強い影響を受ける。本研究では素子の端部と中央部において磁気インピーダンス測定と磁区観察を行って、それらの挙動を実験的に明らかにし、異なる素子位置における反磁界の影響について検討を行った。試料端部では反磁界の分布の影響で特性の劣化が確認されたのに対し、素子中央部では、反磁界の分布は均一なため、インピーダンスの磁界感度あるいは不連続特性は端部に比べ改善する。