従来の磁性薄膜の透磁率測定法では評価試料を数mm角程度に切り出す必要があることから材料開発において非効率であった。また、特定の形状に切り出すことにより本来の磁気特性が変化してしまう可能性もある。本報告では、インピーダンス整合を考慮した直線マイクロストリップ型プローブを磁性薄膜に近接させることで非破壊に透磁率を計測した。