電気学会全国大会講演要旨
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FeSiB薄帯の応力印加下での磁気特性
◎名生崇悦（仙台高等専門学校専攻科）・山田 洋（仙台高等専門学校）・枦 修一郎・石山和志（東北大学）・北村康宏・鈴木 拓（デンソー）
磁歪が大きく比較的透磁率の高いFeSiB薄帯材料は、外部応力により誘導される異方性によりその磁気特性が大きく変化する。応力と磁気特性変化に関する詳細な実験結果を通じて、センサ応用をはじめとするこの材料のデバイス応用に関して議論する。