新しいスイッチング素子として考えられているGaN素子は従来のSi素子に比べ，200℃以上の高温での動作が可能で，最大電流が高く，さらに，低オン電圧，高速動作の特性を有している．これを用いることで，インバータ回路損失を抑えつつ，キャリア周波数をあげられるようになってきた．ここで，インバータ損失を評価する場合，インバータ励磁した際の鉄損増加も回路そのものの損失と同時に評価する必要があると我々は考えている.従来までの検討では用いられなかったキャリア周波数190kHzまでの鉄損特性の評価を行うために，GaN素子を用いたインバータ(GaN-INV)を製作すると同時に，従来のSi素子を用いたインバータ(Si-INV)を製作し，それらのインバータで得られた鉄損特性の比較・評価を行ったので報告する．