半導体素子の微細化に依らないICの高性能化を実現する技術として三次元集積化技術が注目されている。しかしながら三次元集積化技術は信頼性の観点から市場への普及が遅れているのが現状である。本研究では三次元集積化技術の信頼性評価のためにMOSFETを形成したICチップをシリコンインターポーザ上にフリップチップ接合し、TSV作製に必要な薄化工程とビアエッチング工程を行った。各工程前後でのMOSFETの特性を測定することでTSV作製工程がトランジスタに及ぼす影響を評価した。その結果、50umまでの薄化工程はトランジスタ特性に影響を与えないことなどを示した。