本研究では、CMOS・LSIの中で実現可能な寄生バイポーラ・トランジスタを用いたPTAT型温度センサとCMOSサブスレッショルド特性を用いたPTAT型温度センサについて温度特性のシミュレーションを行い、その二つ方式の比較検討を行った。CMOS寄生トランジスタ方式においては温度を-40℃から100℃まで変化させた時の誤差はR1=200kΩにおいて0.5℃以内という結果が得られた。一方、CMOSサブスレッショルド方式において最大誤差は8℃に達するという結果となった。