Cr-N薄膜は、ゲージ率が約10と大きく、抵抗温度係数（TCR）をゼロ近傍に調整可能であり、数10kΩの高抵抗化が可能であることなど優れた特徴を有する新しいひずみセンサ材料である。そのCr-N薄膜を貼り付けて利用するひずみゲージとして利用する場合、汎用的な基板が必要となる。そこで、そのための絶縁性基板材料としてセラミックスに着目し、その代表的な材料としてアルミナおよびジルコニアについてその適性を調べた。その結果、それらのセラミックスを基板とした場合も特性は従来とほとんど変化すること無く、良好な値を示し、センサ素子の作製ならびにひずみ計測が可能であることを確認した。よって、セラミックスはCr-N薄膜ひずみセンサ用の基板材料として有望と考えられる。