シリコンを基材としスイッチ接触点にタングステンを成膜したナノ電気機械スイッチの作製を行い，その特性を評価した。本研究の特徴として，SOI(Silicon On Insulator)ウエハを用いたトップダウン型の比較的容易な作製方法であること，高精度加工により低電圧駆動すること，また，スイッチ接点に低抵抗な材料であるタングステンを成膜することで，ジュール加熱による損傷を低減できることが挙げられる。梁の剛性が異なる2種類のスイッチを駆動実験した結果，2.5Vと0.8Vでのスイッチング駆動を確認した。本実験で作製したデバイスは，新たなスイッチング素子としての応用が期待できる。