近年のエレクトロニクスではMEMS技術を用いたマイクロアクチュエータが多く開発されているが、著者らは比較的簡単構造で大きな変位が得られるSOI基板を用いた片持ち梁構造の熱式マイクロアクチュエータの研究を行ってきた。今回このような熱式マイクロアクチュエータのモデル化の検討を行った。Si片持ち梁上にAu膜を形成した熱式マイクロアクチュエータの変位特性を計算し、単純モデル化の検討を行い、特性を表す近似式を得ることができた。