近年，低損失なスイッチングデバイスとして，SiC-MOSFETが注目されている。SiC-MOSFETの特長としては，オン損失が小さいこと，スイッチング損失が小さいことが挙げられる。これらの特長から，高効率化が望まれている誘導加熱用高周波インバータのスイッチングデバイスにSiC-MOSFETを用いることが期待されている。低スイッチング損失を実現するためには低ゲート抵抗でゲートを駆動する必要があるが，ゲートを高速に駆動するとドレイン・ソース間電圧の時間変化率dvds/dtが大きくなり，MOSFETがセルフターンオンするおそれがある。そこで本論文では，ドレイン・ソース間にロスレススナバキャパシタによるセルフターンオンの抑制効果を実験的に検討する。