近年，パワーデバイスが広く普及しており，その中でもSi-IGBTは高耐圧，大電流に適しているため様々な所で用いられている。しかしながら，スイッチング周波数の上限が数十kHz程度であるため小型化に限界があった。本研究ではSi-IGBTを用いた高速スイッチング動作についての検証を実験的に行う。 本稿で提案回路は昇圧チョッパ回路に適応した新しい構成となっており，高速スイッチングによる昇圧動作を行った。その結果，基本的な昇圧動作が確認できSi-IGBTでも高周波化が期待できる。また提案回路での効率を計算した結果，現在では50%程度であり低い効率となっているが，今後はこの効率面の向上も検討を行う。