MOSFETを高速スイッチングさせるには，ターンオン時間とターンオフ時間の両方を短縮することが求められる。ターンオン時間は，ゲート入力容量を高速に充電することにより短縮することができる。一方，ターンオフ時間はドレイン－ソース間の寄生容量を充電する時間によって決定される。筆者らはこれまでゲートドライブ電源昇圧補助回路を降圧チョッパ，ハーフブリッジインバータに適用してターンオフ時間の短縮を実験的に確認してきた。本稿では双方向チョッパにこの補助回路を適用して高速スイッチングを行い，軽負荷領域において25.2 ptの効率改善を実験的に確認したので報告する。