SiCやGaNの次世代パワーデバイスの研究開発が進められており，これらの信頼性向上は重要な研究課題である。そのためパワーデバイスの材料特性だけでなく回路実装時における性能特性評価に関する研究開発が進められている。本研究では，Si-MOSFETを対象とした短絡試験装置を設計・製作し，その動作特性について検討したので報告する。実験では，直流電圧200 Vの短絡試験装置を用いて，MOSFETの短絡状態を模擬し，破壊直前動作時における電流波形を観測した。