近年、HVICが高効率、高速、安価を特徴とするIGBTゲートドライバとして、モーター駆動やLED照明などの様々なアプリケーションに用いられ始めている。HVICのキーデバイスである高耐圧Pch-LDMOSには、オン状態で高電圧を印加した際に、基板へのリークが発生するという基板リーク現象の問題がある。今回、基板リーク現象の解析と、基板リークを抑制したHVIC用1200VクラスPch-LDMOSを開発したので報告する。1200VクラスPch-LDMOSにおける基板リーク現象は、ドレインドリフト領域のホール電流が基板に漏出するパンチスルー現象であることがわかった。新構造により基板リーク現象の原因であるパンチスルーを抑制することができ、実用化に十分な出力特性を持つ1200VクラスPch-LDMOSを実現することができた。