電気学会全国大会講演要旨
5-166
高特性超伝導バルク体のパルス着磁における上下面の捕捉磁場特性の評価
◎戸ヶ崎亮介・五十嵐僚太・津久井友隆・横山和哉(足利工業大学)・岡 徹雄(新潟大学)
超伝導バルク体(以下,バルク体と呼ぶ)の製作技術の進歩により,大型かつ高特性の試料が得られるようになった。従来のバルク体は,上面(種結晶に近い面)の捕捉磁場特性が,下面(種結晶から離れた面)より優れている。一方,近年の試料はφ65×20mmの大型試料でも,磁場中冷却による着磁特性は,上下面で差異がなくなってきている。本文は,上記のような高特性バルク体においてパルス着磁を行ったところ,上下面で捕捉磁場特性に差が現れたため,その実験結果を報告する。