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パワー半導体を用いたノズル空間内SF6ガス吹付けアークの減衰過程および回復電圧印加の基礎検討手法
○田中康規・中野智之（金沢大学）・清水陽大・永井和彦・合嶋大輔・富田健太郎・内野喜一郎（九州大学）・鈴木克巳（東京電機大学）・飯島崇文・新海 健（東芝）
ノズル空間内のガス吹付けアーク消滅過程を詳細に解明することは，ガス遮断器のコンパクト化，高性能化にとって極めて重要である。今回，アーク減衰過程の基礎検討のため，パワー半導体を利用して意図的にフリーリカバリ減衰過程を作成し，さらにその後電極間に擬似的に回復電圧を印加する手法を考案した。本報告では，ノズル空間内のSF6ガス吹付けアークに対して，IGBTによりフリーリカバリアーク減衰過程を作成し，その後電圧を意図的に印加する試験を行った。その結果，アーク減衰後に電圧を印加するタイミングを変化させることで再発弧の有無を確認でき，極間の回復速さを簡易に検討できることがわかった。