カーボンナノチューブ(Carbon Nanotube : CNT)[1]は炭素の六員環で構成されたシートが単層あるいは多層の同軸管状になったナノスケールの物質である。巻き方によって電気的特性がオーミック特性、半導体的特性と変化するため微小デバイスを構成する材料として期待される。 今回は集束イオンビーム装置(Focused Ion Beam:FIB)を用いて試料を観察しながらCNTデバイスの作製を行った。本実験ではレーザ支援熱分解法によりリンドープCNTを生成する。その両端にPt電極を堆積させCNTのデバイスを作成した。そのV-I特性と光照射による特性を報告する。