近年、酸化亜鉛(ZnO)は近紫外や青色の発光デバイス材料としての転用化が注目されている。ZnOのエネルギーギャップは3.37 eVで、青色発光ダイオードなどに使用されている窒化ガリウム(GaN)のエネルギーギャップ3.40 eVに近く、発光波長380 nm付近のエキシトン発光することが知られている材料である。しかし成膜の際に酸素欠損が発生することによって欠陥準位が発生し、発光波長が約550 nm付近の発光をしてしまう。本稿ではLaser Diodeによる支援機構を導入したPLD法(Pulsed laser Deposition)を用いて、ZnOの高結晶化を促しながら成膜し、酸素欠損の発生を減少および強度の高いエキシトン発光するZnO薄膜を得ることを目的とした。